從1990年代開始流行的智能卡和移動設備就需要很長時間來存儲數(shù)據(jù)，即使關閉電源（非易失性），也可以存儲數(shù)據(jù)，在低功率下高速運行，并具有較高的寫擦除周期耐力。鐵電隨機存取存儲器（FRAM）滿足了這些要求，但是在日本和美國嘗試使用常規(guī)半導體工藝制造該存儲器的嘗試直到2000年代初都未必成功。
 
在常規(guī)半導體工藝期間產(chǎn)生的氫氣，該反應導致鐵電性能下降。富士通團隊開發(fā)了H2阻擋膜來防止氧化鐵電材料的還原。這有助于在1999年成功地開始FRAM的批量生產(chǎn)。為了實現(xiàn)高密度和低壓可操作FRAM，他們改進了鐵電電容器，實現(xiàn)了1.8V工作電壓和4 Mb FRAM。與傳統(tǒng)的FLASH存儲器相比，他們開發(fā)的FRAM具有出色的電子性能。它的寫入/擦除速度提高了1000萬倍，耐用性提高了1億倍，功耗降低了400倍。
 
因此FRAM不僅用于智能卡和移動設備中，而且還用于配備有大容量內(nèi)存，身份驗證設備和備用電池的射頻識別（RFID）標簽中，以用于備用電池的靜態(tài)RAM（SRAM）。由于已證明FRAM被證明比FLASH存儲器具有更高的抗輻射能力，因此FRAM有望應用于附著在需要通過放射線滅菌的醫(yī)療設備上的RFID標簽。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡的基本內(nèi)存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴展”或減小單元區(qū)域。該團隊已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業(yè)化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡的基本內(nèi)存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴展”或減小單元區(qū)域。該團隊已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業(yè)化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。
 
盡管FRAM已經(jīng)成為用于安全社交網(wǎng)絡的基本內(nèi)存支持信息技術（IT），但FRAM的最重要挑戰(zhàn)之一是“擴展”或減小單元區(qū)域。該團隊已經(jīng)開發(fā)出了下一代FRAM，其單元面積比當前商業(yè)化的FRAM小得多。這項技術將大大降低FRAM的制造成本，并顯著提高FRAM市場的增長。

關鍵詞：FRAM 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。