NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。
 
因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來(lái)擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)。最后必須知道制造商提到功耗時(shí)并不是使用一致的標(biāo)準(zhǔn)。某些設(shè)備可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V。此處所用的數(shù)值是資料表中規(guī)定的最差情況數(shù)值。
 
串行數(shù)據(jù)閃存擦除頁(yè)/扇區(qū)時(shí)，需要耗用大量的能量，因?yàn)檫@些操作耗時(shí)較長(zhǎng)。EEPROM與閃存使用輪詢(polling)技術(shù)而不是等待一段最差情況所需的時(shí)間來(lái)完成操作，從而減少了兩者的能量要求。資料表沒(méi)有清楚顯示當(dāng)寫入/擦除完成時(shí)，寫入/擦除周期中消耗的電流是否自動(dòng)逐步減少或是否繼續(xù)。 
 
非易失NV-SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少，頻繁進(jìn)行讀/寫操作，并且數(shù)據(jù)保存速度是至關(guān)重要的系統(tǒng)中。數(shù)控銑床就是一個(gè)例子。假設(shè)機(jī)器正在進(jìn)行銑操作的時(shí)候突然斷電。出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個(gè)安全位置。一旦上電，機(jī)器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊，這一任務(wù)是很容易實(shí)現(xiàn)的。選擇的保持時(shí)間應(yīng)等于或大于向EEPROM中存儲(chǔ)程序信息所需的時(shí)間。在數(shù)據(jù)寫入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當(dāng)數(shù)據(jù)緩存。采用這一方案，附加元件的費(fèi)用通常要超出NV-SRAM模塊的成本，并且可靠性較低。
 
在防篡改應(yīng)用，特別是在PoS終端中，數(shù)據(jù)記錄非常重要。如今的智能終端無(wú)須經(jīng)過(guò)耗時(shí)的遠(yuǎn)程服務(wù)器的驗(yàn)證就能確認(rèn)付款交易。由于安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于終端內(nèi)部，因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在lC內(nèi)部的“安全區(qū)”內(nèi)。然而，仍然需要采取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密數(shù)據(jù)被讀取和解碼。目前所能提供的保護(hù)措施尚不足以對(duì)付那些狡猾的黑客。針對(duì)這一問(wèn)題，也有一些解決方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模塊，包含安全微控制器、SRAM篡改檢測(cè)電路，以及定時(shí)和控制功能。
 
 
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