對于特定的產品設計，關于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項。
 
優(yōu)越的頻率和帶寬
傳統(tǒng)和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI時鐘頻率。ULE FRAM支持DDR模式，從而充分利用了低引腳輸出MCU。 ULE FRAM的帶寬是當前可用串行SRAM的五倍。
 
ECC數(shù)據(jù)保護
所有FRAM陣列均受ECC保護，并提供了附加的控制寄存器來監(jiān)視ECC錯誤。 SRAM沒有此功能。結果SRAM可能會遭受損壞事件，而FRAM會檢測到并糾正這些事件。
 
降低功率
在所有工作條件下，傳統(tǒng)和ULE的FRAM都比串行SRAM消耗更少的有功功率。如果產品以內存的有功功率為主導，則FRAM的功耗會更低。
 
如果設計以空閑功率為主導，則串行SRAM的待機功耗會略低，但是ULE FRAM會實現(xiàn)更低的其他功耗模式。必須更改軟件才能進入這些低功耗狀態(tài)，但是如果使用這些狀態(tài)，則ULE FRAM的空閑功耗可能比串行SRAM低10倍。
 
符合RoHS的非揮發(fā)性
非易失性是FRAM固有的，但是必須為串行SRAM提供電源才能實現(xiàn)這一點。這可能意味著添加電池，這可能違反RoHS要求，或成為設計中的替換問題。
 
易于使用的命令選項
ULE FRAM具有比SRAM更豐富的命令集，這些功能可用于提供更輕松的實現(xiàn)。這些注意事項包括：
•可以使用其他模式進行傳輸，例如單位命令，但是可以進行多位數(shù)據(jù)傳輸
•能夠對存儲陣列的某些部分進行寫保護。
•序列號識別
這些規(guī)定在串行SRAM中均不可用。
 
我們已經(jīng)習慣了SRAM的功能及其為當今產品提供的好處。但是事實證明，還有另一種技術可以執(zhí)行相同的操作，在許多情況下會更好。預先考慮一下，鐵電RAM與串行SRAM可以用來互相代替，在許多情況下，可以提供更好的性能，更低的功耗以及更可靠的數(shù)據(jù)存儲環(huán)境。


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