MR25H256是一個(gè)串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時(shí)鐘（SCK）的四針接口在邏輯上組織為32Kx8的存儲(chǔ)器陣列。 SPI）總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
對(duì)于MRAM，基于Everspin Technologies的256kb串行SPI MRAM MR25H256進(jìn)行評(píng)估。表3顯示，當(dāng)使用去耦電容器的所有能量時(shí)，每個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)的能量最低。應(yīng)選擇去耦電容的大小，以匹配系統(tǒng)通常獲取的數(shù)據(jù)量。
   
-μF電容器允許以40 MHz在SPI總線上寫入50字節(jié)（46個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)），而MRAM消耗27 mA。此計(jì)算是使用46個(gè)字節(jié)進(jìn)行比較的來源。
 
MCU和LDO消耗的能量
 
對(duì)于MCU，可能需要100μs的時(shí)間才能喚醒，進(jìn)行測量，并將結(jié)果傳達(dá)給非易失性存儲(chǔ)器并進(jìn)行必要的內(nèi)部管理。在此期間，我們假設(shè)有功電流消耗為500μA（運(yùn)行于約5 MHz的小型MCU的典型值）。因此，每次數(shù)據(jù)采集消耗的能量為3.3 V×500μA×100μs= 0.165μJ。
 
除了進(jìn)行采集的能量外，我們還應(yīng)考慮在非易失性存儲(chǔ)器寫入期間保持MCU處于活動(dòng)狀態(tài)所需的能量。當(dāng)不獲取或存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，MCU處于休眠狀態(tài)，消耗5μA電流。假定電源為一個(gè)LDO，在所有操作階段（活動(dòng)和睡眠）均消耗1μA電流。

Everspin串行MRAM

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

 

關(guān)鍵詞：   MRAM    Everspin MRAM