Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)，在節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，臺灣和其他亞洲國家。
 
那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？Everspin代理下面將解析關(guān)于MRAM內(nèi)存技術(shù)工作原理。
  
 
Everspin MRAM與標準CMOS處理集成
 
Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道結(jié)（MTJ）器件用于存儲單元。
   
磁性隧道結(jié)存儲元件
 
磁性隧道結(jié)（MTJ）存儲元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。
 
當自由層的磁矩平行于固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設(shè)備磁性狀態(tài)的變化是一種被稱為磁阻的效應(yīng)，因此被稱為“磁阻” RAM。
 
Everspin MRAM技術(shù)可靠
 
與大多數(shù)其他半導體存儲技術(shù)不同，數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)而不是電荷，并通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態(tài)。使用磁性狀態(tài)進行存儲有兩個主要好處。首先，磁極化不會像電荷一樣隨時間流逝而消失，因此即使關(guān)閉電源，信息也會被存儲。其次，在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。

 
Everspin MRAM特點
•消除備用電池和電容器
•非易失性工作存儲器
•實時數(shù)據(jù)收集和備份
•AEC-Q100合格選件
•停電時保留數(shù)據(jù)
•延長系統(tǒng)壽命和可靠性


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