1Mb串行MRAM具有四個串行I/O路徑，旨在提高讀/寫速度并減少時鐘周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高達(dá)104MHz的時鐘速度和52MB/s的讀/寫帶寬。MRAM專為需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行高頻寫入的應(yīng)用而設(shè)計，可提供與并行I/O MRAM相當(dāng)?shù)淖x取/寫入帶寬。它還允許就地執(zhí)行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯電子可提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
 
Everspin MRAM這款高性能設(shè)備可以以104MHz的速度讀取和寫入數(shù)據(jù)，而不會在其他非易失性技術(shù)（例如NOR Flash）中遇到寫入延遲。結(jié)合無限的寫周期耐久性，MR10Q010非常適合需要連續(xù)記錄關(guān)鍵系統(tǒng)數(shù)據(jù)的應(yīng)用，并具有在意外斷電的情況下保護數(shù)據(jù)的額外好處，而無需使用電池或電容器。諸如企業(yè)RAID控制器之類的應(yīng)用程序可以利用這些功能，通過將MR10Q010用作記錄不斷更新的系統(tǒng)元數(shù)據(jù)的日志存儲器，來增強關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的可靠性。
 
此外該存儲器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括讀寫操作，其中在所有四個I/O上輸入地址和數(shù)據(jù)以減少時鐘周期。該器件采用16引腳SOIC封裝，可通過并行接口節(jié)省20引腳，并支持低電壓電平，并具有用于I/O的單獨VDDQ。
 
其他功能包括：
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•自動斷電數(shù)據(jù)保護
•無限的寫續(xù)航力
•7.5mmx10.3mm機身尺寸
•引腳與NOR Flash Quad SPI產(chǎn)品兼容
 
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存儲解決方案，適用于必須使用少量引腳，低功耗和節(jié)省空間的16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad SPI模式下的四個I / O允許每秒52MB的非?？斓淖x寫速度，使其比8位并口mram更快。這對于下一代RAID控制器，服務(wù)器系統(tǒng)日志，存儲設(shè)備緩沖區(qū)以及嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)和程序存儲器非常有用。


關(guān)鍵詞：   MRAM    MR10Q010