GlobalFoundries(格羅方德半導(dǎo)體有限公司)今年2月份宣布已在其22FDX平臺(tái)上為物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用交付了首個(gè)可投入生產(chǎn)的eMRAM。并表示其先進(jìn)的eMRAM為低功耗，非易失性代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。
 
GF表示已進(jìn)入生產(chǎn)階段，并計(jì)劃與多個(gè)客戶合作，并計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)生產(chǎn)磁帶。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR閃存（eFLASH）。GF表示其eMRAM已通過了五項(xiàng)嚴(yán)格的實(shí)際焊錫回流測(cè)試，并在-40°C至125°C的溫度范圍內(nèi)顯示了100,000個(gè)循環(huán)的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保留。FDXeMRAM解決方案支持AEC-Q100質(zhì)量2級(jí)設(shè)計(jì)，并且正在開發(fā)中，以支持明年的AEC-Q100質(zhì)量1級(jí)解決方案。

 
與當(dāng)今廣泛使用的eFlash相比，eMRAM具有許多優(yōu)勢(shì)，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲(chǔ)元件，并依賴于讀取由薄勢(shì)壘分隔的兩個(gè)鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，這意味著更高的性能。此外可以使用現(xiàn)代工藝技術(shù)生產(chǎn)MRAM，并且具有很高的耐久性。
 
GF現(xiàn)在提供定制設(shè)計(jì)套件，其中包含經(jīng)過嵌入式芯片驗(yàn)證的MRAM，范圍從4到48兆位，并提供MRAM內(nèi)置自測(cè)支持選項(xiàng)。GF正在其位于德國德累斯頓Fab1的300毫米生產(chǎn)線中支持eMRAM。GF的eMRAM技術(shù)已獲得Everspin MRAM公司的許可。
 
 

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