everspin Technologies，Inc.是設(shè)計(jì)，制造和商業(yè)銷售分立和嵌入式MRAM存儲(chǔ)器到市場(chǎng)和應(yīng)用程序的全球領(lǐng)導(dǎo)者，在這些市場(chǎng)和應(yīng)用程序中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。宇芯電子被親自授權(quán)為核心代理商,專注提供的高效可靠的MRAM存儲(chǔ)芯片。具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲(chǔ)器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。能夠運(yùn)行于工業(yè)級(jí)（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內(nèi)，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
 
一個(gè)主要的設(shè)計(jì)目標(biāo)是，所有Everspin MRAM均不受在這些和其他應(yīng)用中遇到的環(huán)境磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樵谶@些應(yīng)用中，MRAM是有效且有價(jià)值的設(shè)計(jì)元素。
 
實(shí)例探究
所有Everspin MRAM產(chǎn)品的包裝中都包含嵌入式磁屏蔽。屏蔽層由高導(dǎo)磁率的金屬制成，可重定向環(huán)境磁場(chǎng)，從而顯著降低芯片的場(chǎng)強(qiáng)。
 
包裝中的磁屏蔽
Everspin MRAM的電磁抗擾性超過了IEC電磁抗擾性標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）標(biāo)準(zhǔn)IEC-61000-4-8規(guī)定，所有電子設(shè)備必須在至少13奧斯特（1,034 A/m）的磁場(chǎng)中運(yùn)行。
 
所有Everspin MRAM產(chǎn)品在所有操作和處理?xiàng)l件下均具有至少25奧斯特（2,000A/m）的抗磁性等級(jí)。

 
Everspin MRAM產(chǎn)品超過5,000萬件在離散和嵌入式MRAM產(chǎn)品中可靠運(yùn)行，這些產(chǎn)品已部署在全球數(shù)據(jù)中心，應(yīng)用在各行各業(yè)產(chǎn)品中。這是可靠的MRAM運(yùn)行超過2萬億現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備小時(shí)。


Everspin MRAM常用型號(hào)

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000

 
 
 
關(guān)鍵詞：everspin MRAM