繼6月底宣布組建DRAM事業(yè)群后，最近紫光集團(tuán)DRAM開(kāi)始落地工廠建設(shè)。8月27日紫光集團(tuán)與重慶政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。
 
根據(jù)協(xié)議紫光集團(tuán)未來(lái)會(huì)在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，在重慶兩江新區(qū)建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等。
 
據(jù)了解紫光重慶DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲(chǔ)芯片的制造，該工廠目前計(jì)劃在2019年底開(kāi)工建設(shè)預(yù)計(jì)在2021年建成投產(chǎn)。在芯片工廠建成前紫光集團(tuán)先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線，并研發(fā)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。
 
有備而來(lái)：重量級(jí)高管+良好基礎(chǔ)
 
進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域
 
兩個(gè)月前紫光集團(tuán)宣布組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，刁石京被委任為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，高啟全被委任為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。這兩位人物相信業(yè)界人士均不陌生，兩位都是在集成電路及存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域有著深厚的積累和經(jīng)驗(yàn)。
 
刁石京被稱為中國(guó)ICT領(lǐng)域的靈魂人物并在ICT領(lǐng)域擁有超過(guò)30年經(jīng)驗(yàn)，，從業(yè)履歷出彩，去年開(kāi)始正式加入紫光集團(tuán)，現(xiàn)在擔(dān)任紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁、紫光國(guó)微董事長(zhǎng)、紫光展銳執(zhí)行董事長(zhǎng)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事等職務(wù)。
 
高啟全從1980年起就一直在半導(dǎo)體及DRAM領(lǐng)域工作，是全球DRAM領(lǐng)域資深元老級(jí)人物。他在2015年加入紫光集團(tuán)，現(xiàn)在擔(dān)任紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事及代行董事長(zhǎng)、武漢新芯CEO等職位。
 
除了兩位重量級(jí)高管人員配置外，紫光集團(tuán)事實(shí)上在DRAM領(lǐng)域亦早已有所積累。據(jù)了解紫光集團(tuán)早在2014年期間就曾表達(dá)出發(fā)展DRAM的決心，但當(dāng)時(shí)為了平衡產(chǎn)業(yè)與地方發(fā)展，確立發(fā)展NAND Flash的路線。
 
如今紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已建立起NAND Flash存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)到制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈，有了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠建設(shè)以及存儲(chǔ)芯片制造的經(jīng)驗(yàn)，紫光集團(tuán)有望迅速完成DRAM新工廠的興建。
 
此外紫光集團(tuán)旗下的西安紫光國(guó)芯前身為西安華芯半導(dǎo)體，是由原奇夢(mèng)達(dá)科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，奇夢(mèng)達(dá)科技是由英飛凌分拆而成的內(nèi)存公司，曾是為全球第二大的DRAM公司。西安紫光國(guó)芯在DRAM領(lǐng)域擁有從產(chǎn)品立項(xiàng)、指標(biāo)定義、電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)到硅片、顆粒、內(nèi)存條測(cè)試及售前售后技術(shù)支持等全方位技術(shù)積累。
 
據(jù)報(bào)道西安紫光國(guó)芯自主創(chuàng)新出全球首系列內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品（ECC DRAM）。其開(kāi)發(fā)的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品覆蓋標(biāo)準(zhǔn)SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品包括臺(tái)式機(jī)內(nèi)存模組（UDIMM）、服務(wù)器內(nèi)存模組（RDIMM，NVDIMM）和筆記本內(nèi)存模組（SODIMM）。
 
有刁石京和高啟全兩大巨頭的掌舵以及上述在DRAM領(lǐng)域的良好基礎(chǔ)，業(yè)界認(rèn)為紫光集團(tuán)進(jìn)軍DRAM后續(xù)發(fā)展值得期待。
 
從NAND到DRAM布局存儲(chǔ)芯片
 
根據(jù)此次簽署的協(xié)議，紫光集團(tuán)擬在重慶發(fā)起設(shè)立的紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司將作為紫光集團(tuán)已經(jīng)和未來(lái)在各地設(shè)立的存儲(chǔ)芯片制造工廠的投資主體，建立世界級(jí)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域核心產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
 
此前紫光集團(tuán)提出“從芯到云”的戰(zhàn)略布局，主要由芯產(chǎn)業(yè)和云產(chǎn)業(yè)兩大部分組成，芯產(chǎn)業(yè)包括三大板塊：綜合性芯片、安全芯片、存儲(chǔ)器。核心存儲(chǔ)器板塊是以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為核心、與紫光存儲(chǔ)等企業(yè)一起構(gòu)成，包括了存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)以及相關(guān)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
 
自2016年以來(lái)紫光集團(tuán)相繼在武漢、南京、成都建設(shè)起三座存儲(chǔ)芯片制造工廠。其中位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢新芯的基礎(chǔ)上已成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片；2018年8月長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking；近日在智博會(huì)上，紫光集團(tuán)首次展出了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片，按照規(guī)劃預(yù)計(jì)于今年年底正式量產(chǎn)。
 
除了長(zhǎng)江存儲(chǔ)紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)公開(kāi)表示，紫光集團(tuán)要在南京、成都等比例復(fù)制武漢工廠模式。
 
紫光南京集成電路基地項(xiàng)目計(jì)劃投資額度為300億美元占地面積大約1500畝，主要產(chǎn)品為3D NAND Flash存儲(chǔ)芯片和DRAM內(nèi)存芯片。2018年9月30日該項(xiàng)目一期正式開(kāi)工建設(shè)，根據(jù)浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，截止2019年4月上旬，項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)樁基（總約1.5萬(wàn)根）施工和內(nèi)部正式道路（共7條）全部結(jié)束。
 
2018年10月紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目也正式開(kāi)工，該項(xiàng)目占地面積約1200畝，投資額度高達(dá)240億美元，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)始對(duì)存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
 
隨著這次紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目落地重慶簽約，紫光集團(tuán)在DRAM領(lǐng)域走出了重要的一步，新的DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠將來(lái)落成之時(shí)也將為紫光集團(tuán)打下另一片存儲(chǔ)芯片的天下。

關(guān)鍵詞：NAND Flash
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