Everspin xSPI STT-MRAM代碼和數(shù)據(jù)整合場景
來源： 日期：2022-07-22 11:43:41
Everspin的新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口，這是用于非易失性存儲設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。它基于Everspin獨(dú)特的工業(yè)STT MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久性內(nèi)存MRAM設(shè)備在單個1.8V電源上運(yùn)行，并通過八個I/O信號提供高達(dá)400MBps的讀取和寫入速度。
在這個用例場景中，應(yīng)用程序代碼和一些少量數(shù)據(jù)存儲在同一個內(nèi)存芯片中。這有時需要滿足嚴(yán)格的成本和空間（如物理電路板空間）要求。代碼在啟動時加載到RAM中。文件系統(tǒng)可用于存儲數(shù)據(jù)和可能的固件，但通常使用原始訪問。由于其低成本和小尺寸，NOR閃存通常用于此目的。
對于只讀或以讀取為中心的工作負(fù)載，這種設(shè)計工作得很好。然而，由于寫入性能差和寫入能耗高，NOR閃存通常不適用于中等寫入工作負(fù)載。NAND閃存也可用于提高寫入性能，但由于壞塊和軟錯誤管理，它會帶來額外的復(fù)雜性。另一個問題是耐力。盡管大多數(shù)應(yīng)用永遠(yuǎn)不會接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但隨著單元磨損，保留率會顯著降低。從未磨損設(shè)備的典型10年規(guī)格來看，在10K循環(huán)后，保留時間可能會下降到僅1年。如果固件映像最終出現(xiàn)在磨損的塊中（如果使用了適當(dāng)?shù)哪p均衡，這可能會發(fā)生），這可能會成為一個問題。
EMxxLX系列在緊湊的8DFN中具有高達(dá)64Mb的容量，非常適合這種特殊用例。它具有極高的寫入速度、低寫入能耗和幾乎無限的寫入壽命。到目前為止，NOR閃存仍然比MRAM具有容量優(yōu)勢，但大型NOR芯片并不便宜，而且沒有跡象表明MRAM無法擴(kuò)展到尺寸和成本的綜合水平。事實(shí)上，Everspin已經(jīng)在開發(fā)其他密度高于64Mb的MRAM產(chǎn)品。
本文關(guān)鍵詞：xSPI STT-MRAM,Everspin
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