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記憶體市場(chǎng)供給縮減嚴(yán)重,存儲(chǔ)漲價(jià)成定局?
由于日本對(duì)韓國(guó)限制半導(dǎo)體化學(xué)材料,會(huì)使得記憶體市場(chǎng)的供應(yīng)大量減少,行內(nèi)近期傳出,韓系半導(dǎo)體記憶體廠商在2019年第三季度由于化學(xué)原材料
2019-07-12
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ISSI芯成SRAM存儲(chǔ)器72Mb 2Mx32 IS61LPS204832B
IS61LPS204832B是一款容量72MB 位數(shù)32位,具有高速,低功耗同步靜態(tài)RAM設(shè)計(jì),IS61LPS204832B用于通信和網(wǎng)絡(luò)的高性能SRAM內(nèi)存,先進(jìn)的CMOS技
2019-07-12
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東芝停電促使NAND Flash價(jià)格上漲,紛紛看好下半年漲勢(shì)
NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠停電事件,將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng),威剛科技初步估計(jì),NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%;另外一家存
2019-07-10
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ST如何面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退期?
種種跡象表明,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來一波衰退期。據(jù)IHSMarkit最新預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2019年全球半導(dǎo)體芯片行業(yè)的營(yíng)收將下降7 4%,將從2018年的4
2019-05-14
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STT-MRAM成為存儲(chǔ)器的新希望?
由于存儲(chǔ)器制程比較簡(jiǎn)單,存儲(chǔ)單元均可快速被復(fù)制,可以幫助先進(jìn)制程工藝快速提升良率。所以,在過去很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),存儲(chǔ)器都扮演著肯為
2019-03-29
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臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM
晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng),現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng),瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)
2019-03-01
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